原标题:美光下半年SSD出货将以3D NAND为主,容量更大、速度更快
图片来源:Micron
根据外电报导,半导体业者美光(Micron)于上周举行的分析师会议中透露,今年下半年出货的固态硬盘(Solid State Drive,SSD)中,大部份都将是基于3D NAND技术的产品。
3D NAND采用了浮闸(floating gate)技术,以垂直方式堆叠32层的储存单元,实现256Gb的多阶储存单元(multilevel cell,MLC)与384Gb的3阶储存单元(triple-level cell,TLC),号称是全球密度最高的快闪记忆体,高密度的特性让它的容量可达到其他NAND记忆体的3倍,标榜只要AA电池大小的SSD就能具备3.5TB的储存容量,2.5吋的SSD则能有10TB的储存容量。
↓3D NAND类似建筑一栋大楼,以垂直堆叠方式增加记忆体的容量,提高储存单位的密度。(图片来源:美光)
其实美光与英特尔(Intel)在去年3月就共同发表了3D NAND快闪记忆体,当时也已开始送样,该类记忆体的优点除了高密度之外,还包括快速的读写效能、更便宜的每GB成本,以及可用来省电的新睡眠模式等。
现阶段3D NAND的每GB成本仍高于平面NAND,但随着3D NAND单一晶圆可装载的储存量愈来愈大,美光估计两者的成本将在明年交会,之后3D NAND即会取得成本优势。
根据美光的规画,3D NAND将率先于今年6月出现在消费者端的固态硬盘产品上,继之推出资料中心专用的SSD,直到相关成本低于平面NAND之后即会扩展至各种嵌入式记忆体市场。
3D NAND介绍预告片。
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