科林研发推出先进逻辑元件用的介电质原子层蚀刻功能

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2016-09-07 13:00:49 | 来源：雅墨 | 投稿：秩名 | 编辑：dations

原标题：科林研发推出先进逻辑元件用的介电质原子层蚀刻功能

加州弗里蒙特市2016年9月7日电 /美通社/ -- 先进的半导体设备制造商科林研发公司(Lam Research

Corp.)今天宣布，已在其Flex?介电质蚀刻系统中增加了原子层蚀刻(ALE)功能，以扩展ALE技术的产品组合。运用科林研发的先进混合模式脉冲

(AMMP)技术，新的ALE制程展现出原子级的控制能力，可克服逻辑元件微缩至10纳米以下时面对的重要挑战。这是业界首度将电浆辅助ALE制程运用在介电质薄膜上并导入量产，这套最新的Flex系统已获得广泛的采用，以作为大量制造逻辑元件之用。

科林研发蚀刻产品部门副总裁Vahid Vahedi表示：“从电晶体和接点建立(contact creation)到连线图样(interconnect

patterning)，逻辑制造商需要全新等级的精密度才能持续微缩到10纳米以下的制程节点。对自动对准接点(self-aligned

contact)等这类元件促成关键技术(device-enabling)应用来说，蚀刻有助于建立关键结构，但是传统的技术无法提供符合现在严格规范所需的足够控制能力。我们最新的Flex产品具备介电质ALE功能，其原子级控制能力是经过生产力验证的，可以满足客户的重要要求。”

为了持续逻辑元件的微缩，晶片制造商正采用像是自动对准接点(SAC)等新的整合方法，来解决RC延迟等问题。因此，接点蚀刻已成为最关键的制程之一，会直接影响晶圆良率与电晶体效能。为了能以高解析度制作关键的元件结构，蚀刻制程需要具备超高选择性(selectivity)的方向性(非等向性)功能，同时还要能提供制造所需的生产力。

针对下一代的逻辑与晶圆制造应用，科林研发的Flex介电质蚀刻系统可提供业界最先进的电容式耦合电浆

(CCP)反应器，它独特的小容量设计可提供稳定可靠的生产结果。此最新系统采用属独家的AMMP技术，以借此实现二氧化矽(SiO2

)等介电质薄膜的ALE制程。与先前的介电质蚀刻技术相比，此功能可提升2倍的选择性，而且还能提供原子级的控制能力。

关于科林研发

科林研发股份有限公司(NASDAQ：LRCX)是值得信赖的全球晶圆制程设备与服务供应商，为半导体产业提供创新的晶圆制造设备和服务。科林研发提供业界领先的多元化产品组合，包括薄膜沉积、电浆蚀刻、光阻去除和晶圆清洗解决方案，可协助客户成功地在晶圆上制造出尺寸比一粒砂还小千分之一的元件结构，因而实现更小、更快、更省电的晶片。透过合作、持续创新、以及信守承诺，科林研发正为原子级工程技术带来变革，并携手客户创造科技的未来。科林研发的总部设在加州弗里蒙特市，其纳斯达克股票代号为LRCX，并且是纳斯达克100指数以及标准普尔500指数的成分股公司。欲了解更多讯息，请造访

http://www.lamresearch.com 。(LRCX-P)

前瞻性声明注意事项

本新闻稿中的一些非既往事实陈述为前瞻性声明，这些声明受到“1995年美国私人证券诉讼改革法案”的安全港条款约束。这些前瞻性声明论及，但不仅限于，科林研发设备的功能或是具备可实现电晶体微缩至10纳米制程节点以下的能力等声明。一些重要的因素可能会影响这些前瞻性声明，包括半导体制造商采用的整合方法和制程技术。这些前瞻性声明是根据目前的信念与预期而制定，会受到风险、不确定性以及条件、重要性、价值与效益改变的影响，包括科林研发在其年度财报10-K表格中所讨论的“风险因素”，以及科林研发向证券交易委员会提交的其他档案中所陈列的因素等。这些风险、不确定性以及条件、重要性、价值与效益的改变可能会不可预见地造成实际结果与这些预期性声明产生重大差异。读者应注意，不要过分地依赖这些前瞻性声明，因为这些叙述是根据科林研发截至新闻稿发布日期已知的合理资讯所制定。我们没有义务在新闻稿发出之后发布任何有关这些前瞻性声明的修正，以反映有预期或非预期事件及情况的发生。

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