原标题：Samsung 首创 LPDDR5 流动装置记忆体 速度增50% 电力消耗减30% | 香港 UNWIRE.HK 玩生活．乐科技
随着 AI 及 5G 技术在未来愈来愈重要，手机设备的硬件要求也不断提高。近日，Samsung 宣布己成功开发 10nm 制程的 8Gb LPDDR5 记忆体，与现有的 LPDDR4X 相比，传输速度增长达 50％，电力损耗减 30％，为日后的 5G 及 AI 技术打下硬件基础。
LPDDR 的 LP（Low Power）指低功率，适用于流动装置之上。新款的 8Gb LPDDR5 具备两种频宽，分别是基于 1.1 V 电流的 6,400 Mbps 及 1.05 V 的 5,500 Mbps 。当中，前者的资料传输速度较现行旗舰手机的 LPDDR4X 晶片增加了50%，每秒可传送多达 51.2 GB 的资料，三星指这相等于 14 部 HD 电影。在电力损耗方面，新一代记忆体可依据处理器的使用情况而调降电压，更配备深度睡眠模式（deep sleep mode）。当闲置时，用电量只有 LPDDR4X 闲置模式（idle mode）的一半。整体来说，新一代 DRAM 的用电量可减少达 30%，延长手机的续航力。
虽然负责制定记忆体标准的 JEDEC 组织尚未发表 LPDDR5 的正式规格，但 Samsung 表示，已经完成 8Gb LPDDR5 原型的功能测试。但目前为止，他们尚未透露采用 LPDDR5 的产品将会何时推出市面。
资料来源：techtimes
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