原标题：叔胺质谱 在C1s光谱中的结合能也发生变化(图)

为了确认电阻有机层的存在，在胺处理的阴极表面样品上获得了 XPS 光谱，如图 8 所示。在未用胺处理的参考阴极上，在 399.7 eV 处观察到 N 1s 峰，必须是由于阴极中没有氮而沉淀在阴极表面上的电解质残留物。对于经 BA 处理的正极，新的成分被指定为苯甲醛肟中的 C=N，为 401.4 eV。少量 BA 与带电正极发生固相反应，大部分 BA 与带电正极发生固相反应，反应产物为液体，这解释了用 BA 处理的正极的放电容量，因为反应可以在没有任何阻隔层的情况下连续发生。DBA 处理和 THA 处理的正极的峰值分别为 400.9 eV 和 401.9 eV，分别归因于氧化亚胺中的C=N+和氧化胺中的C-N+。在 C 1s 光谱中（图 8b），位于 286.1 eV（Ch）和 290.7 eV（CF）的峰与 PVDF 粘合剂相关。在 284.6 eV (CC) 处观察到对应于炭黑的峰。287.2 eV 和 289.1 eV 的峰分别归因于碳酸锂中的 CO 和烷基锂盐中的 C=O。对于胺处理的正极，新的 C 1s 峰出现在 285.5 eV、285.7 eV 和 285.8 eV，属于 C=N、C=N+ 和 C-N+ 键，分别存在于肟、氧化亚胺和氧化胺中中间。请注意，所有胺处理的阴极 PVDF 中的 CH 和 CF 键都向更高的键能移动。这是由于胺与 PVDF 粘合剂的反应。胺处理后CC的结合能也发生了变化。在O 1s光谱中（图8c），除了CO（533.0 eV）和C=O（531.1 eV）的峰外，在529.4处发现CO（533.0 eV）和C=O（531.1 eV）的峰eV 峰分配给过渡金属和氧之间的键。胺处理的阴极在 530.5 eV (NO)、531.7 eV (N+-O-) 和 531.0 eV (N+-O-) 处具有额外的峰，与 N 1s 和 C 1s 光谱一致。531.7 eV和531.0 eV的两个N+-O_峰的差异可能与氮的不同化学环境有关（图7d和图7e）。胺处理阴极的 XPS 光谱表明在阴极表面形成了电阻层，这也可能与 Rct 增加有关（图 4b）。4 eV 峰分配给过渡金属和氧之间的键。胺处理的阴极在 530.5 eV (NO)、531.7 eV (N+-O-) 和 531.0 eV (N+-O-) 处具有额外的峰，与 N 1s 和 C 1s 光谱一致。531.7 eV和531.0 eV的两个N+-O_峰的差异可能与氮的不同化学环境有关（图7d和图7e）。胺处理阴极的 XPS 光谱表明在阴极表面形成了电阻层叔胺质谱，这也可能与 Rct 增加有关（图 4b）。4 eV 峰分配给过渡金属和氧之间的键。胺处理的阴极在 530.5 eV (NO)、531.7 eV (N+-O-) 和 531.0 eV (N+-O-) 处具有额外的峰，与 N 1s 和 C 1s 光谱一致。531.7 eV和531.0 eV的两个N+-O_峰的差异可能与氮的不同化学环境有关（图7d和图7e）。胺处理阴极的 XPS 光谱表明在阴极表面形成了电阻层，这也可能与 Rct 增加有关（图 4b）。0 eV可能与氮的不同化学环境有关（图7d和图7e）。胺处理阴极的 XPS 光谱表明在阴极表面形成了电阻层叔胺质谱，这也可能与 Rct 增加有关（图 4b）。0 eV可能与氮的不同化学环境有关（图7d和图7e）。胺处理阴极的 XPS 光谱表明在阴极表面形成了电阻层，这也可能与 Rct 增加有关（图 4b）。

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