原标题：改善帕金森氏症、中风等脑神经退化问题，ARM研发可植入脑部的晶片
图片来源:ARM
ARM上周宣布，已与座落于华盛顿大学的交感运动神经工程中心（The Center for Sensorimotor Neural Engineering，CSNE）签署合作协议，将由CSNE开发作为双向脑机介面（BBCI）、可植入脑部的系统单晶片（SoC），以解决脑部的神经退化问题。
CSNE隶属于美国国家科学基金会（National Science Foundation），主要研究如何以可植入的装置取代大脑採用及处理资讯的途径。
ARM新兴技术暨健康照护总监Karthik Ranjan表示，该研究专案将让他们开始能以植入脑部的晶片解决实际的健康问题，锁定脑部神经退化疾病，像是帕金森氏症、老年痴呆症，以及中风所造成的瘫痪，长期目标是协助那些受到神经疾病影响的患者，以工程神经技术让身体能够再次复原、感觉与移动。
此一SoC将能够解码大脑中的複杂讯号，并将它们数位化，以作为处理及行动的依据，最终还能够控制身体的肌肉功能，而这便是解决神经退化疾病的关键。未来CSNE也希望该SoC能够反向传回身体的讯号，以让大脑能够重新取回感觉。
该SoC将採用ARM最小的Cortex-M0处理器，而ARM也会继续改善该处理器的功率及效率，以打造可实际用于医疗上的人工神经装置。
CSNE产业关係暨创新总监Scott Ransom则说，除了医疗之外，相关技术也可被应用在其他领域，诸如消费者电子产品。
CSNE已打造出许多仍属早期阶段的原型装置，现阶段所面临的难题为电力损耗及所产生的热气，因而更需要更小且更省电的设计。
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