原标题：Rowhammer变种攻击RAMpage现身，2012年以来的Android装置都有风险
示意图，与新闻事件无关。
自从阿姆斯特丹自由大学（Vrije△Universiteit△Amsterdam）的漏洞安全实验室VUSec△Lab在2016年揭露动态随机存取记忆体（DRAM）中的Rowhammer硬件漏洞也会影响行动装置，并打造出首个Drammer攻击程式之后，这两年陆续有研究人员打造出相关的攻击程式，从GLitch、Throwhammer、Nethammer到上周才出炉的RAMpage。
Rowhammer被视为是DRAM的设计漏洞，在拥有高密度记忆元（Cell）的记忆体中，骇客只要重复造访攻击目标隔壁列的记忆元，就会造成记忆体控制电路的电压波动，造成位元翻转现象，最终将可操控作业系统数据并取得最高权限。
原本外界认为Rowhammer漏洞仅会出现在硬件效能较高的PC与伺服器上，而2016年现身的Drammer△则是第一个锁定Android上的DRAM且确实可行的Rowhammer漏洞攻击程式，只需通过一个恶意程式，完全不必获得许可或借由软件漏洞就能开采。
而最新出炉的RAMpage则被称为Rowhammer攻击变种，因为它锁定的是名为ION的Android记忆体的子系统，也有新的CVE-2018-9442漏洞编号。ION是2011年10月随着Android△4.0出炉的功能，负责管理应用程序之间与作业系统的记忆体分配，而RAMpage则能破坏Android程式与作业系统的分界，允许骇客取得装置的控制权及系统上的资料。
开发RAMpage攻击程式的是来自学术界与产业界的8名研究人员，指出RAMpage可破坏应用程序与作业系统间最基本的隔离，将允许恶意程式取得管理权限，进而存取装置上各种应用程序的任何资料，例如存放在密码管理员或浏览器中的密码、个人照片、电子邮件、讯息，或是机密文件等。
只要装置搭配的是含有漏洞的记忆体，且执行尚未修补的作业系统，就有机会被攻陷，影响自2012年以来采用LPDDR2、LPDDR3或 LPDDR4等记忆体的Android装置，且目前尚无可防范RAMpage的修补程式。
Google在接获报告之后认为，该漏洞对大多数的Android用户来说并不是个实际的问题，且较新的Android装置所采用的记忆体都已针对Rowhammer漏洞加强保护，此一概念性攻击程式也不适用于Google现阶段所支援的Android装置。
有资安研究人员认为，Rowhammer也许是个严重的漏洞，要触发该漏洞也很简单，但记忆体中大多数的位元并不是骇客想要的，让位元翻转还可能直接造成记忆体损坏，成功的开采并不容易。
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